실험물리 예비/결과 전자 계측 기기와 기초 회로 이론(理論) (함수발생기, 오실로스코프, 리사쥬, 중첩요약, 테브낭 요약, 전…
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작성일 24-05-01 04:49
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Download : exp 04.pdf
만약 함수발생기를 High-Z모드로 설정하면 알아서 이를 보정해 주므로 설정한 전압만큼 오실로스코프에도 출력된다
1.1.3. 정현파와 구형파가 동일한 것 인줄 알고 test(실험) 을 일부 잘못했…(省略)
본문 내용을 많이 입력하고 싶지만 레포트에 수식이 다수 포함되어 있어 옮기는 것에 한계가 있습니다.
설명
다. 즉 약 2배의 전압이 측정(測定) 되었다. 함수발생기의 출력 설정에서 load impedance가 50Ω이라는 것은 아래 그림에서처럼 load impedance를 50Ω으로 예상하겠다는 것이다.
실험물리 예비/결과 전자 계측 기기와 기초 회로 이론(理論) (함수발생기, 오실로스코프, 리사쥬, 중첩요약, 테브낭 요약, 전압 분배, 휘트스톤 브릿지, 최대 전력 전달)
서강대학교 물리학과 실험물리학1의 실험 예비레포트와 결과레포트를 병합하여 올립니다. 해당 과목 A+를 받았습니다.결과보고서는 제가 실험한 데이터로 작성되었습니다. 따라서 직렬회로이므로 load에 특정 전압을 걸어주려면 그 전압의 두 배를 출력해주어야 내부 저항 50Ω과 load 저항 50Ω이 1:1로 전압이 걸려 원하는 전압을 출력할 수 있다는 것이다. 따라서 이론적인 값과 다소 차이가 있을 수 있지만 오차에 대한 분석이 포함되어 있습니다. 파일 안에는 완벽한 수식처리가 되어있습니다. 함수발생기에서 만든 물결의 움직임 을 오실로스코프를 통해 analysis(분석) 했다. 이 이유는 다음과 같다.
서강대학교 물리학과 실험물리학1의 실험 예비레포트와 결과레포트를 병합하여 올립니다. 함수발생기의 내부 임피던스는 50Ω인데 오실로스코프의 내부저항은 1MΩ으로 매우 크다. 해당 과목 A+를 받았습니다.본문 내용을 많이 입력하고 싶지만 레포트에 수식이 다수 포함되어 있어 옮기는 것에 한계가 있습니다. 그런데 실제로 load impedance는 오실로스코프의 내부 저항 1MΩ으로 50Ω에 비해 매우 크다. , 실험물리 예비/결과 전자 계측 기기와 기초 회로 이론 (함수발생기, 오실로스코프, 리사쥬, 중첩정리, 테브낭 정리, 전압 분배, 휘트스톤 브릿지, 최대 전력 전달)자연과학레포트 , 함수발생기 오실로스코프 리사쥬 중첩정리 테브낭 정리 전압 분배 휘트스톤 브릿지 최대 전력 전달
레포트/자연과학
1.1.1. 함수발생기의 출력 부분과 오실로스코프의 입력단자를 연결한다. 파일 안에는 완벽한 수식처리가 되어있습니다. 또한 실험의 내용은 담당 조교에 따라 일부 상이할 수 있습니다. 따라서 이론(理論)적인 값과 다소 차이가 있을 수 있지만 오차에 대한 분석이 포함되어 있습니다.
1.1.2. 함수발생기에서 peak-to-peak이 5V인 물결의 움직임 을 보냈지만 오실로스코프에서는 10.2V로 감지하였다. 또한 실험의 내용은 담당 조교에 따라 일부 상이할 수 있습니다.
Download : exp 04.pdf( 28 )
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결과보고서는 제가 실험한 데이터로 작성되었습니다. 따라서 전압의 거의 전부가 load에 걸리게 되어 두 배가 출력되는 것이다.
